Epitaxia por haces moleculares
La epitaxia por haces moleculares
es una técnica habitual en el crecimiento de heteroestructuras de
semiconductores por la gran perfección cristalina que alcanza. Los
haces moleculares inciden sobre un sustrato y diversas reacciones químicas
ocasionan la deposición de monocapas sucesivas.
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Mediante el adecuado control de
las especies químicas de los haces se puede variar la composición
de las capas epitaxiales. Los requerimientos técnicos son elevados pues
se exige un perfecto control de la temperatura y vacío en la
cámara de crecimiento.
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